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Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок



. . .







:

: . , .
.

:
. .

: -71

:
. .

.

1996



.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

In-AsCl3-H2 .

In-HCl-AsH3-H2.

InAs-SiCl4-H2.

.

.

.

.

.

.

-
.

,
, -
, (3,5 .



.
.
, ,
. , ,
(001).


7.4%


.
,
, ,
.

.

.

.

,

. ,
me(0.026 m0.

.1.
.

.

=0 [111] 0.008 -1 .

=0. ,
- .
:

Eg=0.35 (300 )

Eg=(0.44-2.8(10-4T)

me*=0.026 m0

mp*=0.41 m0

mi*=0.025 m0



- mj*=0.083 m0

- (Eg=0.43 .

.


. (3-5
) ,
.



I=I0(1-k)(exp(-(X), (1)

I0 - , k - , (
- , X - .


30-40%

(2)

n - .

, ,
. :

;

;

;

;

.


:

. (3)

3-5
77-300 :
.

:

,

(4)

e - , h - , - .
n- g=0.35 =300 ,
(=0.85 n=1, - g=0.36 ,
n=0.5.



,
(En.


(5)

.. .

, 3
, , ,
. (


(6)

, (=3 n=1018 -3
400 80% .

.


:

;

;

:

():

.

(

(7)

( - .


:

n-, (=30000 2/(300),

-, (=450 2/(300).

.

.



.


,


, , ,
., -
.

.

,
: , , ,
, , , .


. - , ,
.
,
, . () -
, , -
-
.



99,9999% ( 90%).


99,9999%.


:


;

(10-6
..) , .

500-900.


.

99,9999%.


.



(60-100 /) 2/.
, 99,9999%.
,
( ).

.


, 1(10-5%,
< 1(10-6% .



.
:


;

;


.

.


.
:

, ;


;


.


.

:

II ;

;

;

;

.

, ,
. ,
.

.

,
,
35.

:

;

;

,
;


;

;

;

;

.

,
,
:

4In3+As4+6H2(4InAs+12H; (8)

3As+2In3+3/2H2(3As+2In+3H, (9)

3As+2In(2InAs+As3; (10)

In+As(InAs; (11)

2InAs+32(In3+As2; (12)

2InAs+H2O(In2O+As2+H2; (13)

- .
,
.
( III V , ) .
(, )
H2O-H,
.

In-AsCl3-H2 .

:

;

InAs,
;

AsCl3 ;


AsCl3 .


In-AsCl3-H2 .2.

. 2. InAs
In-AsCl3-H2:

1- ; 2- ; 3- ; 4-
; 5- ; 6-
AsCl3.

,
, .


20, AsCl3+H2 .

1 :

2AsCl3+3H2 ( 6HCl+1/2As4. (14)

2 .
:

2In+2HCl ( InCl+H2; (15)

In+As4 ( 4InAs. (16)


. ,
,

.
.
,
.

.

n- In-AsCl3-H2
H2S+H2 . H2S
. -
,
.

In-HCl-AsH3-H2.


:


;

,
(- , - , - ),
(, );

,
;


.

.


,
.


In-HCl-AsH3-H2 . 3.

. 3. InAs
In-HCl-AsH3-H2: 1- ; 2-.

xIn+HCl xInCl+(1-x)HCl+x/2H2, (17)

- Hl (
). , , ..
.

. V
, AsH3, ,
.
:

3InCl+1/4As4+1/2H2 ( InAs+HCl. (18)


In-HCl-AsH3-H2 . ,
,
,
, In-AsCl3-H2.

InAs-SiCl4-H2.


.
. 4.

. 4. InAs
InAs-SiCl4-H2: 1-; 2- InAs;
3- InAs; 4-.

, , -30,
.
(, )
,
.

. ,
, .

, .


:



SiCl4 ( SiCl2+2HCl, (19)



2InAs+ SiCl4+ SiCl2(2Si+2InCl+1/4As4, (20)

2InAs+SiCl4(4InCl+As4, (21)



2InCl+As2+H2(2InAs+HCl. (22)


:

;


;

.

.


. ,
, ,
,
,
, ,

10-5-10-6 %.

,
, :



RnInAs(InAs+nRH (23)

;

,


(C2H5)3In+AsH3(InAs+3C2H6; (24)

,
.


- , .
,
,
.

,
.
.


,
.


.
.

,
-
,
(CH3)3In-(CH3)3As-H2, In-AsCl3-AsH3-H2.
, ,

, ,
,
.



.


(CH3)3In+AsH3(InAs+3CH4 (25)

,
(, , )
.



,
.

:

;

, ,
;

,

;

(Hl)
;

(0.2-0.8 ),
- 0.03-0.1 .

.

,




;

p-n .


,
.

,
, :

-;

-;

;


;

- ;

;

.

.5
, .6
.



. 6. InAs
.

,
,
,
.

.

-
.


(
) .
. 7.

.7. : 1-
; 2- ; 3-; 4- .

-
- ,
.
(), .

,
.
.
,
, , , , .
10-8.



, -,
- ,
.

-
.
(500-600),
( 0.1 /) .

.
.


As2 As4 (100).
.
As In ,
.
, ,
, .
1015 .(2(), 5-10 .


IV , , Si, Ge Sn.
,
.
, n-.
, -, ,

, ,
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, ,
5(1018 -3, ,
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