Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок
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: . , .
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:
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: -71
:
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1996
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In-AsCl3-H2 .
In-HCl-AsH3-H2.
InAs-SiCl4-H2.
.
.
.
.
.
.
-
.
,
, -
, (3,5 .
.
.
, ,
. , ,
(001).
7.4%
.
,
, ,
.
.
.
.
,
. ,
me(0.026 m0.
.1.
.
.
=0 [111] 0.008 -1 .
=0. ,
- .
:
Eg=0.35 (300 )
Eg=(0.44-2.8(10-4T)
me*=0.026 m0
mp*=0.41 m0
mi*=0.025 m0
- mj*=0.083 m0
- (Eg=0.43 .
.
. (3-5
) ,
.
I=I0(1-k)(exp(-(X), (1)
I0 - , k - , (
- , X - .
30-40%
(2)
n - .
, ,
. :
;
;
;
;
.
:
. (3)
3-5
77-300 :
.
:
,
(4)
e - , h - , - .
n- g=0.35 =300 ,
(=0.85 n=1, - g=0.36 ,
n=0.5.
,
(En.
(5)
.. .
, 3
, , ,
. (
(6)
, (=3 n=1018 -3
400 80% .
.
:
;
;
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():
.
(
(7)
( - .
:
n-, (=30000 2/(300),
-, (=450 2/(300).
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.
,
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. - , ,
.
,
, . () -
, , -
-
.
99,9999% ( 90%).
99,9999%.
:
;
(10-6
..) , .
500-900.
.
99,9999%.
.
(60-100 /) 2/.
, 99,9999%.
,
( ).
.
, 1(10-5%,
< 1(10-6% .
.
:
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;
.
.
.
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.
:
II ;
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,
,
35.
:
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;
,
;
;
;
;
;
.
,
,
:
4In3+As4+6H2(4InAs+12H; (8)
3As+2In3+3/2H2(3As+2In+3H, (9)
3As+2In(2InAs+As3; (10)
In+As(InAs; (11)
2InAs+32(In3+As2; (12)
2InAs+H2O(In2O+As2+H2; (13)
- .
,
.
( III V , ) .
(, )
H2O-H,
.
In-AsCl3-H2 .
:
;
InAs,
;
AsCl3 ;
AsCl3 .
In-AsCl3-H2 .2.
. 2. InAs
In-AsCl3-H2:
1- ; 2- ; 3- ; 4-
; 5- ; 6-
AsCl3.
,
, .
20, AsCl3+H2 .
1 :
2AsCl3+3H2 ( 6HCl+1/2As4. (14)
2 .
:
2In+2HCl ( InCl+H2; (15)
In+As4 ( 4InAs. (16)
. ,
,
.
.
,
.
.
n- In-AsCl3-H2
H2S+H2 . H2S
. -
,
.
In-HCl-AsH3-H2.
:
;
,
(- , - , - ),
(, );
,
;
.
.
,
.
In-HCl-AsH3-H2 . 3.
. 3. InAs
In-HCl-AsH3-H2: 1- ; 2-.
xIn+HCl xInCl+(1-x)HCl+x/2H2, (17)
- Hl (
). , , ..
.
. V
, AsH3, ,
.
:
3InCl+1/4As4+1/2H2 ( InAs+HCl. (18)
In-HCl-AsH3-H2 . ,
,
,
, In-AsCl3-H2.
InAs-SiCl4-H2.
.
. 4.
. 4. InAs
InAs-SiCl4-H2: 1-; 2- InAs;
3- InAs; 4-.
, , -30,
.
(, )
,
.
. ,
, .
, .
:
SiCl4 ( SiCl2+2HCl, (19)
2InAs+ SiCl4+ SiCl2(2Si+2InCl+1/4As4, (20)
2InAs+SiCl4(4InCl+As4, (21)
2InCl+As2+H2(2InAs+HCl. (22)
:
;
;
.
.
. ,
, ,
,
,
, ,
10-5-10-6 %.
,
, :
RnInAs(InAs+nRH (23)
;
,
(C2H5)3In+AsH3(InAs+3C2H6; (24)
,
.
- , .
,
,
.
,
.
.
,
.
.
.
,
-
,
(CH3)3In-(CH3)3As-H2, In-AsCl3-AsH3-H2.
, ,
, ,
,
.
.
(CH3)3In+AsH3(InAs+3CH4 (25)
,
(, , )
.
,
.
:
;
, ,
;
,
;
(Hl)
;
(0.2-0.8 ),
- 0.03-0.1 .
.
,
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p-n .
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.
,
, :
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;
;
- ;
;
.
.5
, .6
.
. 6. InAs
.
,
,
,
.
.
-
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(
) .
. 7.
.7. : 1-
; 2- ; 3-; 4- .
-
- ,
.
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,
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.
,
, , , , .
10-8.
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- ,
.
-
.
(500-600),
( 0.1 /) .
.
.
As2 As4 (100).
.
As In ,
.
, ,
, .
1015 .(2(), 5-10 .
IV , , Si, Ge Sn.
,
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, n-.
, -, ,
, ,
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, ,
5(1018 -3, ,
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,
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