« Эрудиция » Российская электронная библиотека

Все темы рефератов / Радиоэлектроника, компьютеры и перифирийные устройства /


Версия для печати

Лабораторная: Исследование работы РПЗУ


ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4



ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ РЕПРОГРАММИРУЕМ0ГО ПОСТОЯННОГО

ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТР0ЙСТВА



1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ



Целью настоящей работы является исследование особенностей
функционирования больших интегральных схем ( БИС ) репрограмируемых
постоянных запоминающих устройств ( РПЗУ ) в режиме записи и считывания
информации.

2. ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПОЛ0ЖЕНИЯ

2.1. Устройства хранения информации занимают значительное место в
структуре современных цифровых вычислительных систем. Особую роль при
этом играют полупроводниковые запоминающие устройства, предназначенные
для построения внутренней памяти ЭВМ. К устройствам данного класса
относятся оперативные запоминающие устройства ( ОЗУ ), постоянные
запоминающие устройства ( ПЗУ ), программируемые постоянные запоминающие
устройства ( ППЗУ ) и репрограммируемыв постоянные запоминающие
устройства ( РПЗУ ).

2.2. Полупроводниковые ОЗУ обеспечивают запись, хранение и считывание
информации, поступающей из центрального процессора или устройств внешней
памяти ЭВМ. Они характеризуются высоким быстродействием, однако при
отключении питания информация, записанная в 0ЗУ данного типа, стирается.

П3У предназначены для длительного хранения информации многократного
использования ( константы, таблицы данных, стандартные программы и т.д.
). Запись информации в ПЗУ производится в процессе их изготовления. ПЗУ
функционируют только в режиме считывания и сохраняет информацию при
отключении питания.

В отличии от ПЗУ программируемые ПЗУ позволяют пользователю производить
однократную запись ( программирование ) информации по каждому адресу.
Основным режимом работы ППЗУ также является режим считывания информации.

Исследуемые в настоящей работе РПЗУ сохраняют информацию при отключении
источников питания, а также допускают возможность ее многократной
перезаписи электрическими сигналами непосредственно самим пользователем,
что имеет принципиальное значение при отладке тех или иных систем. В
отличие от ОЗУ быстродействие этих устройств в режиме записи информации
значительно ниже, чем в режиме считывания информации. В связи с этим
можно считать, что основным режимом работы РПЗУ является режим
считывания информации.

2.3. Основными определяющими параметрами запоминающих устройств
являются информационная емкость и быстродействие. В качестве единицы
измерения информационной емкости используются бит, представляющий собой
один ( любой ) разряд двоичного числа. Часто используются производные
единицы:

байт ( 1 байт = 8 бит );

Кбайт ( 1 Кбайт = 210 байт );

Мбайт ( 1 Мбайт = 220 байт ) и др.

Информационная емкость записывается, как правило, в виде произведения

Синф = n x m, где

n - число двоичных слов;

m - разрядность слова.

Например, емкость ОЗУ типа К155РУ1 составляет

Синф = 16 х 1 бит = 16 бит.

Емкость ППЗУ типа К155РЕЗ равна

Синф = 32 х 8 бит = 256 бит = 32 байта.



Такая форма записи характеризует также и организацию памяти. Так, в
приведенном примере ОЗУ типа К155РУ1 содержит 16 слов с разрядностью 1,
а ППЗУ типа К155РЕЗ содержит 32 слова с разрядностьв 8.

Быстродействие запоминающего устройства характеризуется величиной
времени обращения. Время обращения - это интервал времени от момента
подачи сигнала записи или считывания информации до момента завершения
операции, т.е. минимальный интервал времени между двумя
последовательными сигналами обращения к запоминающему устройству. Это
время может составлять от долей до единиц микросекунд в зависимости от
типа устройства.

2.4. В качестве примера запоминающего устройства рассмотрим БИС РПЗУ
типа КР1601РР1 информационной емкостью

Синф 1К х 4 = 4 Кбит (1К = 210 =1024 ).


Условно-графическое обозначение микросхемы приведено на рис.1.

Рис.1

На рис.1 использованы следующие обозначения:

A0 ( A9 - входы адреса

D0 ( D3 - входы / выходы данных

CS - выбор кристалла

RD - вход сигнала считывания

PR - вход сигнала программирования

ER - вход сигнала стирания

UPR -вход напряжения программирования

Режимы работы микросхемы представлены в таблице 1.

Таблица 1

CS ER PR RD A0(A9 UPR D1/0 Режим

0 X X X X X Roff Хранение

1 0 1 0 X -33(-31 B X Общее стирание

1 0 0 0 A —//— X Избирательное стирание

1 1 0 0 A —//— D1 Запись данных

1 1 1 1 A -33(5 B D0 Считывание



2.4.1. В режиме хранения на вход С подается логический "0", при этом
независимо от характера сигналов на других управляющих и адресных входах
на выходах данных устанавливается высокоомное состояние ( Roff ).

2.4.2. При подаче CS = 1, ER = 0, PR = 1 и RD = 0 происходит стирание
информации во всех ячейках памяти микросхемы, что соответствует для
данной микросхемы установление всех ячеек в состояние логической "1".

2.4.3. При подаче сигналов CS = 1, ER = RD = 0 происходит избирательное
стирание информации только по одному адресу А, установленному на входах
AО ( А9 .

2.4.4. Для программирования РПЗУ на вход подается сигналы СS = 1 и PR
= 0. При этом обеспечивается запись по заданному адресу А информации,
поступившей на входы DО ( D3.

2.4.5. Для считывания информации по адресу А на вход микросхемы
подаются сигналы СS = RD = 1. Считываемая информация поступает на выходы
D0 ( DЗ микросхемы.

2.4.6. В режиме стирания и программирования на вход UPR подается
повышенное напряжение -33 ( -31 В. В режиме считывания это напряжение
может иметь любое значение в интервале от -33 В до 5 В.

3. ОПИСАНИЕ ОБЪЕКТА И СРЕДСТВ ИССЛЕДОВАНИЯ

Функциональная схема исследуемого устройства представлена на рис.2.

3.1. Исследуемая микросхема запоминающего устройства ДД2 представляет
собой РПЗУ с электрическим стиранием информации типа КР1601РР1,
рассмотренное выше.

3.2. Для задания кода адреса РП3У используются десять кнопок с
фиксацией SA7 ( SA16. Отжатому состоянию кнопки соответствует сигнал
логического "0", нажатому состоянию - сигнал логической "1" ( при этом
загорается соответствующий светодиод ).

3.3. Данные для записи в РПЗУ формируются с помощью генератора пачки
импульсов и счетчика СТ ( ДД1 ). Число импульсов задается с помощью
четырех кнопок с фиксацией на блоке К32 под надписью "Программатор СИ".
Генератор запускается путем нажатия поочередно кнопок "Устан.О" и
“Пуск". Число импульсов подсчитывается счетчиком, собранном на
микросхеме типа К155ИЕ5, и в двоичном коде через шинный формирователь ВД
подается на вход данных РПЗУ. При необходимости счетчик СТ может быть
обнулен с помощью кнопки SA6.

3.4. Шинный формирователь ДДЗ выполняет функцию коммутатора,
обеспечивающего заданную пересылку четырехразрядных слов данных. С этой
целью в микросхеме ДДЗ предусмотрены три различные группы входов /
выходов.

3.4.1. Входы D1 предназначены для приема данных от внешних устройств
( например, счетчика импульсов ) и пересылки их в РП3У.

3.4.2. Выходы D0 предназначены для передачи считываемых данных на блок
индикации БИ2.

3.4.3. Выводы D1/0 представляют собой входы или выходы микросхемы в
зависимости от направления передачи данных.

3.4.4. При подаче на управляющий вход шинного формирователя Е сигнала
логического "0" данные с входов D1 подаются на выходы D 1/0. При подаче
на вход Е сигнала логической "1" данные с входов D 1/0 передаются на
выход DО.

3.5. Блок формирования импульсов управления представляет собой
устройство, формирующее сигнал управления работой РПЗУ.

3.5.1. В режиме "0бщее стирание" БФИ формирует на входе ER РПЗУ сигнал
логического "0". Сигнал формируется с помощью кнопки SА1 на блоке К32
путем перевода ее в нажатое состояние и обратно.

3.5.2. В режиме "Избирательное стирание" БФИ формирует на входах ЕР и
РР РПЗУ сигналы логического "0". Сигналы формируются с помощью кнопки
SА2 путем перевода ее в нажатое состояние и обратно.

3.5.3. В режиме "Запись информации" БФИ формирует сигналы логического
"0" на входе PR РПЗУ и на входе Е шинного формирователя. Сигналы
формируются с помощью кнопки SАЗ путем перевода ее в нажатое состояние и
обратно. Указанные сигналы формируются при условии, что одна из кнопок
SА1 или SA2 находится в отжатом состоянии.

3.5.4. В режиме "Считывание информации" БФИ формирует сигнал
логической "1" на входе RD РПЗУ и на входе Е шинного формирователя.
Сигналы формируются с помощью кнопки SА4 путем перевода ее в нажатое
состояние и обратно. Считывание информации производится из ячейки
памяти с заданным адресом А. После считывания данные через шинный
формирователь поступают на блок индикации БИ2.

3.6. Блок индикации БИ1, расположенньй слева на передней панели блока
К32, регистрирует число, находящееся в счетчике СТ2 ( ДД1 ). Число
представляется в десятичной форме с помощью двух семисегментных
индикаторов ( третьего и четвертого ). Кнопка " IO |_ 2”, расположенная
под индикатором, должна находиться в отжатом состоянии.

Блок индикации БИ2, расположенный на панели справа, регистрирует
данные, считываемые из РПЗУ. Информация на блоке индикации может быть
представлена как в двоичной, так и в десятичной форме,

3.7. Вышеуказанный ряд питающих напряжений, необходимый для
функционирования исследуемого устройства, формируется с помощью блоков
пи-

Рис.2

тания стенда. Для подачи необходимых напряжений соответствующие кнопки
питания должны находиться в нажатом состоянии, что сопровождается
свечением индикаторов "+5" , "+15" , "-15" , "-30".

4. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ

Для исследования режимов работы РПЗУ подготовить исходную информацию в
виде блока данных в двоичном коде и занести эти данные в таблицу (табл.2
). Значения данных в десятичном коде предварительно согласовать с
преподавателем.

4.1. Исследовать работу РПЗУ в режиме общего стирания информации.


4.1.1. Выполнить операции, указанные в п.3.5.1. с учетом п.2.4., и
провести общее стирание информации в РПЗУ.

4.1.2. Провести считывание информации из РПЗУ по 8 последовательно
расположенным адресам, начиная с адреса А = 1. Результаты измерений
занести в таблицу ( табл.2 ). Сделать выводы о работе РПЗУ в данном
режиме.

4.2. Исследовать работу РПЗУ в режиме записи информации.

4.2.1. Выполнить операции, указанные в п.3.5.3., и провести запись
исходных данных по 8 последовательно расположенным адресам, начиная о
адреса А 1 в соответствии с табл.2

Таблица 2

№ п/п Адрес Исходные

данные Общее

стир. Запись Избир.

стир. Общее

стир.

1

2

3

4

5

6

7

8 0001

0010

0011

0100

0101

0110

0111

1000







4.2.2. Выполнить операции, указанные в п.4.1.2., и провести считывание
записанной в РПЗУ информации. Результаты измерений занести в таблицу
(табл.2). Провести сравнение результатов записи с исходной информацией.

4.3. Исследовать работу РПЗУ в режиме избирательного стирания.

4.3.1. Выполнить операции, указанные в п.3.5.2. для первых 4-х адресов,
начиная с адреса А = 1, проведя избирательное стирание информации по
указанным адресам.

4.3.2. Провести считывание всего блока из 8-ми данных. Результаты
считывания занести в таблицу ( табл.2 ). Сделать выводы о работе РПЗУ в
режиме избирательного стирания информации.

4.4. Провести общее стирание информации в РПЗУ, а затем повторное
считывание исходного блока данных, начиная с адреса А = 1. Убедитесь,
что информация в заданном массиве соответствует исходному состоянию и
РПЗУ подготовлено к повторному программированию.

5. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

1. Название и цель работы.

2. Основные характеристики исследуемого РПЗУ.

3. Функциональная схема исследуемого устройства.

4. Таблица по п.4 и выводы о работе РПЗУ.

6. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1. Дайте определение основных видов запоминающих устройств.

2. Назовите отличительные особенности ОЗУ,ПЗУ, ППЗУ и РПЗУ.

3. Приведите основные параметры запоминающих устройств и единицы их
измерения.

4. Объясните основные режимы работы РПЗУ.

7. СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Щеголева Л.И.,

Версия для печати


Неправильная кодировка в тексте?
В работе не достает каких либо картинок?
Документ отформатирован некорректно?

Вы можете скачать правильно отформатированную работу
Скачать реферат